بررسی خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولوله های گالیم- گروه (N,As,P)V

در این مقاله خواص ساختاري، الکترونی و ترابردي نانولوله زیگزاگ ( 0و 5) گالیم نیتراید GaN ، نانولوله زیگزاگ 0 و 5 گالیم آرسناید GaAs و نانولوله زیگزاگ ( 0و 5) گالیم فسفاید GaP با استفاده از تئوري تابعی چگالی DFT ترکیب شده با فرمالیزم تابع گرین غیر تعادلی NEGF توسط نرم افزار SIESTA مورد مطالعه قرارگرفته شده است. ساختار باندي الکترونی، چگالی حالات DOS ، گاف انرژي، مشخصه جریان ولتاژ I-V و منحنی ترابرد dI/dV این ساختارها تحت شرایط بایاس پائین مورد بررسی قرار گرفت، نتایج بدست آمده ماهیت نیمه هادي این ساختارها را تأیید می نماید. در بین این ساختارها، نانولوله زیگزاگ 0 و 5 گالیم فسفاید GaP باند گاف انرژي غیر مستقیم را نشان داده است که این ساختار را مناسب براي بکارگیري در نمایشگرهاي رنگی می سازد در عوض نانولوله زیگزاگ ( 0و 5) گالیم آرسناید GaAs علاوه بر باند گاف انرژي کوچک تر و چگالی حالات بیشتر مشخصه NDR از خود نشان داد بگونه اي که می تواند کاندیداي مناسبی براي بکارگیري در قطعات اپتوالکترونیکی سرعت بالا، سوئیچ کننده هاي سرعت بالا و نوسانگرهاي سرعت بالا باشد. نانولوله زیگزاگ ( 0و 5) گالیم نیتراید GaN با داشتن باند گاف انرژي پهن میتواند در ساخت دیودهاي گسیلنده نوري لیزرهاي نیمه هادي و سوئیچ کننده ها بکار گرفته شود

کلیدواژه ها:

نانولوله گالیم نیتراید GaN ، نانولوله گالیم آرسناید GaAs ، نانولوله گالیم فسفاید GaP ، تئوری تابعی چگالی DFT ، مشخصهNDR ، نرم افزار SIESTA