مقایسه ساختار ادوات Hetero SBMOS با SBMOS در مقیاس نانومتری

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 911

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NNTC01_680

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1389

چکیده مقاله:

ترانزیستورهای ماسفت به علت ویژگی مقیاس پذیری مطلوب درچندین دهه گذشته از محبوبیت بالایی برخوردار بوده اند با این وجود ورود به حوزه ابعاد نانو این ادوات را با محدودیتهای فیزیکی بسیاری مواجه کرده است دراین مقاله ترانزیستور ماسفت با سورس/ درین فلزی و کانال کرنش یافته و ماسفت با سورس/ درین شاتکی به عنوان ساختارهایی که این مشکلات را مرتفع می کنند موردمطالعه و شبیه سازی قرارگرفته اند و با یکدیگر مقایسه گردیده اند استفاده از ساختار ماسفت با سورس/ درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حاملها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس/ درین شاتکی و کانال سیلیسیم می گردد بنابراین استفاده ازکانال کرنش دار روشی نوین برای جایگزینی باماسفت دارای سورس/ درین شاتکی در مقیاس نانو میباشد.

کلیدواژه ها:

شبیه سازی ، hetero sbmos ، و sb mos مقیاس نانو

نویسندگان

مریم نیری

عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

فاطمه کهنی خشکبیجاری

دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ Conference on Nano Science & Nano Technology, YAZD, 16-18 ...
  • R. A.Vega, _ the Modelling and Design of Schottky Field ...
  • R. A.Vega, "Schottky Field Effect Transistors and in ...
  • Microelectrone Engineering, Rochester Institute of Technology, Rochester, New york, Ar. ...
  • F. Gao, S. Lee, R. Li, S. Balakumar, C. Tung, ...
  • J. Knoch, J. Appemzeller, "Impact of the Channel Thickness _ ...
  • Phys. Lett. vol. 83, pp. 2593-2595, Sep. 2003. ...
  • G. Larrieu, E. Dubios, "Schottky Barrier Source/ DDrain MOSFETs on ...
  • J. Knoch, M. Zhang, S. Mantl, J. Appenzeller, "On the ...
  • نمایش کامل مراجع