بررسی تاثیر دمای بازپخت در گاف انرژی لایه های نازک اکسید تیتانیم

لایه های نازک تیتانیم با روش تبخیر بوسیله باریکه الکترونی با ضخامت 70 نانومتر تهیه و سپس در دماهای مختلف 573-300K درحضور شار ثابت اکسیژن بازپخت شدند نانوساختار و جهت های کریستالوگرافی با استفاده از ازمایش پراش پرتو - X تحلیل شد و خواص اپیتیک نمونه ها با استفاده از دستگاه اسپکترفوتومتر بررسی شد. با بازپخت نمونه ها نتایج حاصل از XRD شکل گیری جهت کریستالی A 104 مربوط به فاز اناناس دی اکسید تیتانیم را نشان میدهد و این در حالی است که با افزایش دمای بازپخت برشدت این پیک افزوده می شود همچنین نتایج نشان داد که افزایش دمای بازپخت سبب افزایش اندازه دانه ها و افزایش گاف انرژی در لایه های نازک اکسید تیتانیم خواهد شد.

کلیدواژه ها:

دی اکسید تیتانیم ، لایه نازک و گاف انرژی