کنترل چینش لایه های نازک نانوساختار سولفید سرب و جایگزیدگی قوی حاملهای بار درون مرزهای نانوذرات وتخمین چگالی حالتها در دمای بالای اتاق ناشی از جایگزیدگی قوی

دراین کار نمونه با روش ساده رسوبگیری از محلول شیمیایی ساخته شده اند. گاف انرژی نواری از داده های طیف جذبی تخمین زده شده است و نوع ساختار و اندازه نسبی نانوذرات با استفاده از داده های طرح پراش به دست آمده است مورفولوژی و چینش لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی بررسی شده است ما نشان داده ایم پارامترهایی مانند PH و زمان رسوبگیری عامل مهمی در ارایش این لایه ها هستند داده های رسانشی نشان میدهد که مکانیسم رسانش جهش حاملها بین حالتهای جایگزیده نزدیک سطح فرمی است و چگالی حالتها در بالای دمی اتاق قابل محاسبه است.