تاثیر دما برروی خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای برای سیلیکون تقویت شده با پوشش نانومقیاس

مطالعه تاثیر خواص تشعشعی در ابعاد نانو جهت کنترل بهتر گرما در تولید و سایل نیمه هادیها ضروری است بسیار ی ازاجزای نوری و نیمه هادیها توسط لایه های نازک پوشش داده می شوند لذا مطالعه سطوح پوشیده شده با فیلمهای نازک از اهمیت بسزایی برخوردار می باشد در این مقاله سیلیکون تقویت شده با یونهای دهنده و غلظت 1e18 با پوشش دی اکسید سیلیکون در دماهای مختلف مورد بررسی گردید و نتایج مقایسه شد ضخامت سیلیکون 700μm و ضخامت پوشش دی اکسید سیلیکون 65.3nm می باشد اشعه ورودی بصورت قائم می تابد نتایج نشان داد که افزایش دما منجر به کاهش ضرایب بازتاب و عبور می گردد که این امر به علت افزایش ضریب جذب با افزایش دما است سیلیکون در دماهای بالا بصورت جسم کدر رفتار می کند و لذا ضریب بازتاب در دماهای بالا به صفر می گراید نتایج نشان داد که برای دمای بالاتر از 617درجه ضریب عبور مستقل از طول موج می شود همچنین تغییر پوشش و غلظت در دماهای بالا تاثیر چندانی بر روی ضریب صدور کلی ندارند نتایج نشان داد که ضریب بازتاب برای طول موج حدود 400nm ثابت می شود و لذا می توان از این ساختار به عنوان فیلتر خوبی برای ناحیه فرابنفش استفاده نمود.

کلیدواژه ها:

سیلیکون تقویت شده ، دما ، پوشش ، نانومقیاس ، ضریب بازتاب ، ضریب صدور