طراحی و ساخت آنتن شیپوری با استفاده از ساختار موجبر مجتمع شده در زیرلایه

پارامترهای اساسی آنتن شیپوری مجتمع در زیرلایه (SIW) زاویه بازشدگی (θ)، عرض دریچه (D) و طول شیپوری ((L(2) می باشد. اگر زاویه بازشدگی افزایش یابد دریچه آنتن بزرگ تر شده و با توجه بهاینکه دایرکتیویته آنتن متناسب با عرض دریچه است درنتیجه دایرکتیویته افزایش مییابد و همزمانخطای فاز درجه دوم نیز افزایش مییابد. برای به دست آوردن دایرکتیویته بالا نمی توان عرض دریچه رابیش ازحد افزایش داد چون خطای فاز درجه دوم زیاد شده و باعث کاهش دایرکتیویته می شود. طولشیپوری روی مودهای مراتب بالاتر و خطای فاز درجه دوم تاثیر دارد و نمی توان مقدار آن را بزرگدرنظرگرفت.برای طراحی آنتن شیپوری صفحه H مجتمع در زیرلایه (SIW) می توان از روابط مربوط به شیپوری بهینه معمولی استفاده کرد و برای تضمین کردن حالت تحریک تک مودی برای آنتن شیپوری صفحه H مجتمع در زیر لایه (SIW)، عرض تغذیه موجبری (a) باید محدود به بازه ی (فرمول در متن مقاله اصلی) باشد که (ʎ(0 طول موج فضای آزاد است و ضخامت زیرلایه (h) کوچکتر از عرض تغذیه موجبر(a) است حذف کردن مودهای مراتب بالاتر در موجبر، ضخامت زیرلایه را محدود می کند.طول تغذیه موجبری ((L(1) تنظیم می شود تا آنتن تطبیق خوبی با کانکتور برای یک بهره واقعی خوب درفرکانس 9/8GHz شده به دست آید.

کلیدواژه ها:

آنتن شیپوری ، موجبر مجتمع شده در زیر لایه ، شبکه تغذیه