خواص ساختاری والکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با استفاده از نظریه تابعی چگالی

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 421

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-8-2_003

تاریخ نمایه سازی: 8 اردیبهشت 1399

چکیده مقاله:

در این پژوهش خواص ساختاری و الکترونی نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرض های 19.2، 24.85، 30.49 و 36.14 آنگستروم که متناظر هستند با شماره های زنجیره زیگزاگ 3، 5، 7 و 9 با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. این بررسی ها با استفاده از امواج تخت تقویت شده خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW و کاربرد تقریب شیب تعمیم یافته برای پتانسیل تبادل همبستگی صورت گرفته است. چگالی حالت های کل و چگالی حالت های جزئی و چگالی ابر الکترونی رسم شده است. این محاسبات نشان می دهند که همه نانونوارهای مطالعه شده نیم رسانا هستند و نانونوار دارای عرض 3 شکاف انرژی 2.687 الکترون ولت، عرض 5 شکاف انرژی 2.304 الکترون ولت، عرض های 7 و9 به ترتیب شکاف انرژی 2.107 و2.008 الکترون ولت دارند و با افزایش عرض نوار، شکاف نواری کاهش می یابد. همچنین، نتایج نشان می دهند نانونوارهای گالیوم نیترید لبه زیگزاگ هیدروژنه با عرض های 3 ، 5، 7 و 9 غیرمغناطیسی هستند. چگالی حالت های جزئی نشان می دهد که در نانونوارهای باریک تر، اتم های واقع در لبه نسبت به اتم های میانی سهم بیشتری در چگالی حالت ها دارند.

نویسندگان

شاهدخت سهرابی ثانی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران.

سمیرا پولادی

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه رازی، کرمانشاه، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang ...
  • Geim A. K., Novoselov K. S., The rise of graphene ...
  • Novoselov K. S., Jiang Z., Zhang Y., Morozov S. V., ...
  • Ataca C., ahin H. S., Aktürk E., Ciraci S., Mechanical ...
  • Wan Q., Xiong Zh., Dai J., Rao J., Jiang F., ...
  • Sun L., Li Y., Li Z., Li Q., Zhou Z., ...
  • Vurgaftman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R., Band parameters ...
  • Ponce F. A., Bour D. P., Nitride-based semiconductors for blue ...
  • Liao J., Sa B., Zhou J., Ahuja R., Sun Zh., ...
  • Mei Y. F., Thurmer D. J., Deneke C., Kiravittaya S., ...
  • Morkoc H., Strite S., Gao G. B., Lin M.E., Sverdlov ...
  • Vurgafman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R., Band parameters ...
  • Ponce F. A., Bour D. P., Nitride- based semiconductors for ...
  • Huang Y., Duan X., Cui Y., Lieber C.M., Gallium Nitride ...
  • Goldberger J., R. He R., Zhang Y., et al., Single-crystal ...
  • Lee S.M., Lee Y. H., Hwang Y. G., et al. ...
  • Mintmire J. W., Dunglap B. I., White C. T., Are ...
  • Zheng F., Zhang J., Zhang Y., Ji V., First-principles study ...
  • Du A. J., Zhu Z.H., Chen Y., Lu G. Q., ...
  • Tang Q., Cui Y., Li Y., Zhon Z., Chen Z., ...
  • Li H., Dai J., Zhang S., Zhou J., Zhang L., ...
  • Chen Q., Song R., Chen Ch., Chen X., Tunable band ...
  • Wu Q., Hu Z., Wang X.Z., Chen Y., Synthesis and ...
  • Xie T., Lin Y., Wu G.S., Yuan X. Y., Jiang ...
  • Xiang X., Cao C., Huang F., Lv R., Zhu H., ...
  • Wu M., Wu X., Pie Y., Zeng X., Inorganic nanoribbons ...
  • Blaha P., Schwars K., Madsen G., Kvasnicka D., Luitz J., ...
  • Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M., Generalized Gradieent Approximation Made ...
  • Jiang D., Sumpter B.G., Dai S., Unique chemical reactivity of ...
  • Stamp C. and Van de Walle C.G., Density Functional calculation ...
  • نمایش کامل مراجع