یک میکسر فعال CMOS با خطینگی بالا برای گیرنده های Zero-IF پهن باند

میکسر بخش مهمی از گیرنده های مخابراتی است که به عنوان یک بلوک غیر خطی منشا ایجاد مولفه های مرتبه ی دوم و سوم غیر خطی میب اشد و میزان خطی بودن آن به شدت روی خطی بودن کل گیرنده تاثیرگذار است. در این مقاله یک میکسر فعال با توان پایین و خطینگی بالا در باند فرکانسی 5 / 0 تا 5 / 5 گیگاهرتز در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS پیشنهاد شده است. ساختار مدار پیشنهادی براساس میکسر سلول گیلبرت است و برای افزایش خطینگی IIP3 آن از ترکیب دو تکنیک ( DS ) Derivative Superposition و IM2 Injection استفاده کرده است؛ بطوری که ترانزیستور کمکی PMOS به طور موازی با ترانزیستور طبقه RF و در ناحیه زیر آستانه به کار برده شده است. از سوی دیگر یک جریان هارمونیک مرتبه دوم به طبقه ورودی تزریق شده است تا در نهایت میزان اعوجاج مرتبه سوم کاهش یابد. ولتاژ تغذیه مدار پیشنهادی 2 / 1 ولت و میزان توان مصرفی مدار 26 / 1 میلی وات می باشد. با استفاده از این تکنیک بهره تبدیل dB، 12/48 و عدد نویز dB، 12/66 حاصل می شود. مقدار IIP3 به عنوان معیار خطینگی، dBm 8/5 نسبت به سلول گیلبرت متداول بهبود یافته است.

کلیدواژه ها:

سلول گیلبرت ، میکسر فعال ، IIP3 ، خطینگی ، توان پایین ، پهن باند ، Derivative Superposition ، IM2 Injection ، زیرآستانه