طراحی و مقایسه سلول های FinFET SRAM برای داشتن قابلیت نوشتن بالا

با توجه به پیشرفت فناوری و تلاش برای کوچک تر کردن سایز ترانزیستورها، کاهش ولتاژ کاری به منظور کاهش توان مصرفی، امری ضروری اسنت ؛ اما این امر کاهش بازده نوشتن و به دنبال آن افزایش خطای نوشتن را به همراه دارد. در این مقاله ساختارهای مختلف سلول حافظه ی SRAM، به منظور بهبود فرآیند نوشتن بررسی گردیده است. همچنین به منظور بررسی بازده نوشتن از شبیه سازی مونت کارلو 5000 نمونه ای در فناوری FinFET 10 نانومتر استفاده شد. نتایج به دست آمده نشان می دهند کنه ساختار تفاضلی 10 ترانزیستوری با توجه به تضعیف شبکه ی بالابرنده در حین عملیات نوشتن بازده بالاتری نسبت سایر ساختارهای بررسی شده دارد. به طوری که بازدهی نوشتن این ساختار در ولتاژ 200 میلی ولت 2/7 برابر بازده نوشتن ساختار شش ترانزیستوری است.

کلیدواژه ها:

پایداری ، بازده ، تغییرات فرآیند ساخت ، توانایی نوشتن. ، FinFET