نرخ خطای نرم در سلول SRAM-6T طراحی شده با ترانزیستورهای FinFET و CNTFET در تکنولوژی 10 نانومتر

با پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات و کوچکتر شدن آنها، خطای نرم در کاربردهای عمومی همانند گوشی های موبایل و سرورهای داده اهمیت ویژهای پیدا کرده است. خطای نرم باعث رخداد واژگونی در گره های ذخیره کننده داده در حافظه SRAM می شود، به این علت، وقوع خطای نرم قابلیت اطمینان مدار را کاهش می دهد.طراحان مدارات دیجیتال، با استفاده از روش های مقاوم سازی، این مدارات را در برابر خطای نرم محافظت می کنند.روش های مختلفی در سطح قطعه، مدار یا ماژول و به صورت سیستمی جهت شناسایی و رفع این خطا به کار می رود. در این تحقیق، مقاوم بودن سلول SRAM طراحی شده توسط ترانزیستورهای FinFET ، CNTFET در مقیاس 10 نانومتر بررسی و مقایسه می شود. با استفاده از مدل های ترانزیستوری معتبر و طراحی بهینه سلول SRAM استاندارد به صورت 6 ترانزیستوری توسط نرم افزار Synopsys Hspice تحلیل می- شود،میزان خطا با نگاشت بار بحرانی به نرخ خطای نرم قابل حصول است. نتایج به دست آمده نشان می دهدکه مقدار نرخ خطای نرم در SRAM طراحی شده با FinFET ، 25 درصد از نوع CNTFET کمتر بوده و همچنین بار بحرانی در تکنولوژی طراحی شده با FinFET 2.5 برابر بیشتر از مدار طراحی شده با CNTFET میباشد.

کلیدواژه ها:

نرخ خطای نرم ، بار بحرانی ، ترانزیستور فین فت ، ترانزیستور نانولوله کربنی ، حافظه SRAM