کنترل گاف انرژی نوری با جایگزینی اتم های نیکل در لایه های نانوساختار کادمیم سلنید

دراین کار نقش جایگزینی اتم های نیکل در کنترل اندازه گاف انرژی نواری لایه های نازک نانوساختار کادمیم سلنید بررسی شده است. داده های آزمایشگاهی نشان داده است که جایگزینی اتم های نیکل نقش تعیین کننده ای روی اندازه گاف انرژی نواری آنها دارد به طوری که ی گذار جدید به ماده پایه اضافه می کند. روش ساده ای را برای ساخت لایه های نانوساختار کادمیم سلنید با روش رسوب گیری از محلول شیمیائی به کار برده شده است. لایه های نازک نانوساختار کادمیم سلنید با ابزارهای اندازه گیری مانند پراش اشعه ایکس جهت تعیین نوع ساختار، میکروسکوپ الکترونی روبشی برای مشاهده ریخت شناسی لایه ها واسپکتروسکوپی جذب ناحیه مرئی – فرابنفش برای اندازه گیری گاف انرژی نواری استفاده شده است.

کلیدواژه ها:

رسوب گیری از حمام شیمیائی ، گاف انرژی نوری ، لایه نازک