فیلتر نتایج
مقاله ژورنالی
تاثیر فشار و دما بر ترانزیستورهای اثر میدان با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN
نویسندگان: Rajab Yahyazadeh
سال انتشار 1398
محل انتشار: مجله ی اینترفیس ها، فیلم های نازک و سیستم های کم ابعاد شماره 2، دوره 2
تعداد صفحات: 12 | زبان: انگلیسی
مقاله ژورنالی
Numerical Modeling of Electronic and Electrical Characteristics of ۰.۳ ۰.۷ Al Ga N / GaN Multiple Quantum Well Solar Cells
نویسندگان: Rajab yahyazadeh، zahra hashempour
سال انتشار 1399
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 3، دوره 5
تعداد صفحات: 21 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Non-radiative Auger Current in a InGaN/GaN Multiple Quantum Well Laser Diode under Hydrostatic Pressure and Temperature
نویسندگان: Rajab Yahyazadeh، Zahra Hashempour
سال انتشار 1402
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 8
تعداد صفحات: 27 | زبان: انگلیسیمقاله ژورنالی
Effect of Hydrostatic Pressure on Optical Absorption Coefficient of InGaN/GaN of Multiple Quantum Well Solar Cells
نویسندگان: Rajab yahyazadeh، zahra hashempour
سال انتشار 1400
محل انتشار: مجله نانو ساختارهای اپتوالکترونیکال شماره 2، دوره 6
تعداد صفحات: 22 | زبان: انگلیسی
مقاله کنفرانسی
Analytical-Numerical model for Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Under Hydrostatic Pressure Effect
نویسندگان: Zahra Hashempour، Rajab Yahyazadeh
سال انتشار 1399
محل انتشار: اولین همایش بین المللی علوم و فناوری نانو
تعداد صفحات: 5 | زبان: انگلیسی