رشد فیلم های نازک AIN بر Si(111) به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور های اثر میدانی

  • سال انتشار: 1393
  • محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1393
  • کد COI اختصاصی: IPC93_447
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 300
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

فرشته عادل

گروه پرتو پزشکی دانشگاه علوم پزشکی بابل

محمد گرجی

مرکزتحقیقات لیزر و اپتیک دانشگاه جامع امام حسین(ع)

جواد بهادررضاآبادی

مرکزتحقیقات لیزر و اپتیک دانشگاه جامع امام حسین(ع)

محسن شرف زاده

دانشگاه پیام نور مرکز فریمان، دانشکده علوم، گروه فیزیک

چکیده

فیلمی از نیترید آلومینیوم را در دمای محیط و در شرایط فشار بسیار پایین بر زیرلایه ی سیلیکون (111) رشد داده و این فیلم در دماهای مختلف باز پخت گردید. ساختار این فیلم نازک با استفاده از تکنیک های مختلف از جمله AES و XRD بررسی شد. بررسی ساختار پیوندی توده فیلم AIN و زیرلایه مشترک نشان می دهد که ساختار موجود آمورف بوده و در کنار ویژگی هایی نظیر ثابت دی الکتریک بالا و پایداری گرمایی، می تواند در کاهش مشکلات گیت اکسید سیلیکون در نانو ترانزیستورها مناسب باشد.

کلیدواژه ها

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.