بررسی عملکرد MOSFET لایه نازک
- سال انتشار: 1387
- محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
- کد COI اختصاصی: IPC87_065
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1298
نویسندگان
دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه تربیت معلم سبزوار
چکیده
در این نوشتار میزان تاثیر محل فلزگیت و میزان تاثیراندازه طول بر عملکرد یک MOSFET لایه نازک در ابعاد نانومتر، بررسی شده است. شبیه سازی نشان می دهد، هر چه مکان گیت را به درین نزدیک نمائیم میزان جریان، نسبت به حالتی که گیت در وسط یا نزدیک سورس باشد، کاهش خواهد یافت و مقاومت خروجی ترانزیستور نیز در همین حالت، به ازای شرایط خاصی، مقداری منفی خواهد بود. در ضمن با تغییر طول کانال از 15nm تا 100nm بازای ولتاژهای بایاس مختلف، میزان DIBL در طول کانالهای مختلف و نیز کاهش ولتاژ آستانه ( Threshold-voltage roll off) بازای ولتاژهای بایاس مختلف بررسی شده است.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.