یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی برای کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین

  • سال انتشار: 1397
  • محل انتشار: اولین کنفرانس ملی میکرو نانو فناوری
  • کد COI اختصاصی: MNTECH01_051
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 496
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

نسترن جعفری

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی(ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی،تهران، ایران

فرشاد بابازاده

استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

زهرا آهنگری

استادیار، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

چکیده

در این مقاله، طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی کانال n نوع تخلیه ای در دمای محیط 300k گزارش می شود . این ترانزیستور مبتنی بر تکنولوژی NEMS بوده و کاملا با فرآیندهای ساخت CMOS سازگار میباشد. ترانزیستور اثر میدان نانوالکترومکانیکی NEMFET از ترکیب رله NEM و ترانزیستور MOSFET ساخته شده و دارای یک گیت متحرک و یک بخش نیمه هادی میباشد که مسیر جریان همیشه در بخش نیمه هادی است. گیت متحرک نانومکانیکی به صورت یک باریکه دو سر درگیر BOSS دار توسط نرم افزار COMSOL Multiphysics و بخش الکتریکی توسط نرم افزار SILVACO طراحی و شبیه سازی شده است. ترانزیستور NEMFET طراحی شده دارای طول گیت برابر با 25 nm پهنای 100 nm و ضخامت 5.2nm میباشد. نتایج شبیه سازی نشان میدهند که در این طراحی بهینه شده، با مقایسه نتایج بهدست آمده با یک MOSFET معمولی با ابعاد مشابه، سویینگ زیر آستانه به مقدار 52 mV/dec کاهش یافته و نسبت جریان حالت روشن به خاموش ( ) به مقدار 9 10*2/65 افزایش می یابد

کلیدواژه ها

ترانزیستور اثر میدان، رله NEMFET،NEM ،سیستم های نانوالکترومکانیکی،NEMS

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.