مدل سازی و شبیه سازی اثر عرض و طول کانال MoS2 روی مشخصات ترانزیستور اثر میدانی با کانال دو بعدی
- سال انتشار: 1397
- محل انتشار: کنفرانس بین المللی برق، کامپیوتر و مکانیک ایران
- کد COI اختصاصی: ECMCONF01_012
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 608
نویسندگان
دکتری تخصصی- عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
چکیده
در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی بر پایه مواد دو بعدی دی کالکوژن را به صورتانتقال کوانتومی بررسی می کنیم. اینجا ترانزیستور اثر میدانی را با مواد دو بعدیدی کالکوژن MoS(2) (MX2) شبیه سازی می شود. مواد دو بعدی دی کالکوژنبه دلیل اینکه باند گپ مناسب و کوچکی در دو حالت تک لایه و چند لایه دارندانتخاب شده اند. شبیه سازی با استفاده از روش تنگ بست و با استفاده ازماتریس همیلتونی و تابع گرین برای ساختارنوار تک لایه (MoS(2 نزدیک به گافانرژی اصلی را مطرح می کنیم. یک پارامتر سازی که شامل جفت شدگی اسپین-اوربیتال می باشد نیز ارایه می شود. همچنین اثر طول و عرض گیت و سویینگزیر آستانه (SS) وهمچنین نسبت جریان روشن/خاموش (Ion/Ioff ) نیزبررسی می شود.کلیدواژه ها
مواد دوبعدی دی کالکوژن ،روش تنگ بست، ماتریس همیلتونی تابع گرین ، MoS 2مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.