بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی

  • سال انتشار: 1388
  • محل انتشار: همایش ملی نانو مواد و نانو تکنولوژی
  • کد COI اختصاصی: NAYRC01_082
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1071
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

علی اصغر صدقی

عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد شبستر

چکیده

با استفاده از روش موج تخت تغییر یافته، ساختار نوار فوتونی در یک نانو بلور فوتونی پاشنده با شبکه مربعی محاسبه شده است. میله های پاشنده واقع در بلور را از جنس فلز و با سطح مقطع هگزاگونال انتخاب کرده ایم که در زمینه ای از هوا قرار گرفته اند. این نانو بلورها از خود گاف نوار فوتونی یا همان ناحیه ممنوعه بسامدی نشان می دهند. معمولا این گافها از لحاظ طیف نوری در ناحیه مادون قرمز قرار می گیرند. هدف ما در این مقاله بررسی موقعیت و پهنای این گافهای فوتونی و بدست آوردن گاف نوار بیشینه است. برای این منظور مقادیر مختلفی را برای بسامد پلاسمای مؤثر نانو بلور در نظر گرفته ایم. نتایج حاکی از اینست که تعداد و همچنین پهنای گافهای نوار با افزایش بسامد پلاسمای مؤثر، افزایش می یابد.

کلیدواژه ها

نانو بلور فوتونی- روش موج تخت تغییر یافته-گاف نوار-ساختار نوار

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.