معرفی روش نوین ساخت نانوسیستم های سیلیکانی با تکنیک لایه برداری عمودی در حضور پلاسمای هیدروژن

  • سال انتشار: 1387
  • محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE16_352
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1037
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

هادی حسین زادگان

دانشگاه تهران

امیر سماک

دانشگاه تهران

سهیل عظیمی

دانشگاه تهران

شمس الدین مهاجر زاده

دانشگاه تهران

چکیده

روش نوینی برای ساخت نانوساختارهای سیلیکانی بر روی زیر لایه سیلیکان ارائه شده است. این تکنیک بر مبنای لایه برداری عمودی از سیلیکان در حضور پلاسمای هیدروژن است که جزو روش های "بالا به پاییین" می باشد. پس از لایه نشانی نیکل به عنوان نقاب، آن را با استفاده از روش PECVD، توسط هیدروژن بمباران می کنیم تا جزیره های نانومتری نیکل تشکیل شود. سپس زیرلایه ی سیلیکان، با تکرار متوالی دو مرحله ی اکسید کردن و لایه برداری در حضور گاز SF6، به صورت عمودی خرده شده و نانوسیستم های سیلیکانی ساخته می شوند. ما توانستیم با استفاده از این روش، نانوسیستم های سیلیکانی با قطر بین 100 الی 600 نانومتر و طول بیش از 15 میکرومتر را بسازیم.

کلیدواژه ها

نانوسیم، لایه برداری عمودی، نانو ساختارهای سیلیکانی، خوردگی یونی با پلاسما

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.