پژوهشگر گرامی،
با تشکر از انتخاب سیویلیکا به عنوان مرجع تامین مستندات و مقالات علمی
در این صفحه میتوانید فایل کامل مقاله با عنوان «Novel Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale MOSFET Device for Low Power Applications» را که شامل 6 صفحه است دریافت نمایید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:
فایل PDF مقاله با قیمت (20,000) تومان

انتخاب درگاه



عنوان مقاله: Novel Asymmetric Gate Oxide Thickness Technology for Reduction of Gate Induced Drain Leakage Current in Nanoscale MOSFET Device for Low Power Applications
قیمت فایل مقاله: 0 تومان
تعداد صفحات: 6