بررسی مسفت ها برپایه گالیم نیتراد وتحلیل اثر ولتاژ آستانه

  • سال انتشار: 1393
  • محل انتشار: دومین همایش ملی پژوهش های کاربردی در برق، مکانیک و مکاترونیک
  • کد COI اختصاصی: ELEMECHCONF02_371
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 660
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

احمد رضا رمضانپور

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک،دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا، ایران

محسن معصومی

عضو هیئت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، ایران

چکیده

تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند. قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه III به ویژه نیمه هادی GaN به دلیل خواص ذاتی ماده، نوید قطعاتی با قدرت بالا، فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد. مهم ترین مشخصه ی اصلی این گروه از نیمه هادی ها، طبیعت شکاف باند عریضشان می باشد. ویژگی مهم دیگر نیتریدهای III-V آن است که آنها میدان های شکست قوی ای دارند. GaN دارای ویژگی انتقال الکترون بسیار خوب، موبیلیتی خوب و سرعت رانش فوق اشباع می باشد. مشخصه ی مهم نیتریدهای III-V در مقایسه با SiC اختراع ساختار نامتجانس است که می تواند حمایت شود.

کلیدواژه ها

مسفت، گالیم نیتراد، ولتاژ آستانه، انرژی باند گپ، ساختار کریستالی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.