افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف

سال انتشار: 1393
محل انتشار: اولین کنفرانس و نمایشگاه بین المللی انرژی خورشیدی
کد COI اختصاصی: ICESE01_063
زبان مقاله: فارسی
تعداد مشاهده: 1338

نویسندگان

دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات هرمزگان

معاون آموزشی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت

چکیده

در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر، نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد ،سرعت بالای حاملین (107cm/s)و بازترکیب سطحی از عوامل اصلی تلفات و کاهش بازده این سلولها به شمار می رود و از طرفی لایه اکسید شفاف ZnO که نیمه هادی نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی( کاتد) با ایجاد سد شاتکی عامل دیگری در ایجاد تلفات سلول می باشد. در این مقاله برای بهبود بازده این سلولها روشی پیشنهاد شده است که اساس آن افزایش دوپینگ قسمتی از لایه جاذب برای ایجاد میدان سطحی و سوق دادن الکترونها به سمت لایه جاذب به منظور کاهش بازترکیب حاملین در کنتاکت پشتی و افزودن لایه n+ به اکسید شفاف و تبدیل اتصال فلز- نیمه هادی به کنتاکت اهمی برای کاهش اثر سد شاتکی و اثر مقاومت سری سلول است،که اثرات آن به ازای ضخامت های مختلف برای لایه p+ بحث شده است. با استفاده از این روش ، بهترین نتیجه در ضخامت 2.99 میکرومتر برای لایه p+ و100 نانومتر برای لایه n+ بدست آمد که بازده سلول پایه 3.11% افزایش یافته و به 20.63% رسیده است.

کلیدواژه ها

اثر لایه p+-اثر لایه n+ - سلول لایه نازک CIGS- بازترکیب سطحی- سد شاتکی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.