طراحی و ساخت حسگر گاز MOS با استفاده از ITO بعنوان لایه حساس

  • سال انتشار: 1386
  • محل انتشار: پانزدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE15_390
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 2330
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

علیرضا صالحی

دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

مهدی محمدزاده لاجوردی

دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

محرم قلی زاده نیک پی

دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده

در این مقاله یکی از روشهای تغییر پاسخ حسگرهای گاز نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است. این طرح جدید حسگر شیمیایی، تلفیقی از مکانیسم های مورد استفاده در حسگرهای گاز مقاومتی اکسید – فلز و حسگرهای گاز MOSFET می باشد. در ای تحقیق برای ساخت حسگر گاز MOS (فلز – اکسید – نیمه هادی) از کوارتز بعنوان پایه و از ITO (دی اکسید قلع با آلایش ایندیوم) بعنوان لایه حساس به گاز و از فلز کروم بعنوان گیت استفاده شده است. در این روش میان الکتریکی با القا بار در کانال ، غلظت حامل های بار را تغییر داده و موجب افزایش یا کاهش جذب گاز در الیه حساس می شود. تغییرات پاسخ برای حسگر IGFET-TFT (فت باگیت ایرزوله شده – لایه نازک) با لایه حساس ITO بوسیله تغییر ولتاژهای گیت ها در حضور گاز منوکسید کربن انجام گرفت . در این تحقیق نتیجه گیری شده که با افزایش یک پایه تحت عنوان گیت به حسگر گاز دو پایه ای میتوان میزان حسگر به گاز را بر اساس ولتاژ اعمالی به گیت کنترل کرد.

کلیدواژه ها

حسگر گاز ، کنترل سطح فرمی ، ITO ,IGFET_TFT MOS

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.