فاصله مقاومت و اندیس کیرشهف نانوساختارها
- سال انتشار: 1386
- محل انتشار: دومین همایش دانشجویی فناوری نانو
- کد COI اختصاصی: NANOSC02_054
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 3033
نویسندگان
دانشگاه کاشان بخش ریاضی دانشکده علوم
دانشگاه کاشان بخش ریاضی دانشکده علوم
چکیده
با فرض برقراری جریان الکتریکی در گراف مولکولی یک نانو مخروط کربنی، هر پیوند (یال) به عنوان سیمی بامقاومت الکتریکی واحد در نظر گرفته شده بر این اساس مقاومت الکتیکی موثر بی هر دو اتم (راس) کربن از گراف مولکولی، بر اساس روابط موجود در نظریه گراف به دست می آید. اندیس کیرشهف که به صورت [فرمول در متن اصلی ] بر حسب فاصله مقاومت r ij تعریف می شود. به وسیله روابط موجود در نظریه شبکه های الکتریکی محاسبه می شود. هدف اصلی این سمینار محاسبه این اندیس برای نانو مخروط CNC[n] و فولرن ها است.کلیدواژه ها
فاصله مقاومت ، اندیس کیرشهف ، ماتریس لاپلاسیمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.