تاثیر شرایط لایه نشانی در نوع رسانش و گاف انرژی سلول های خورشیدی لایه نازک CLGS
- سال انتشار: 1392
- محل انتشار: سومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیرز ایران
- کد COI اختصاصی: NCOLE03_175
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1150
نویسندگان
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان. گروه لیزر و فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان ، کاشان
پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان
چکیده
نقش شرایط و پارامترهای لایه نشانی به روش کندوپاش در ساخت لایه نازک CLGS به عنوان قطب P سلول های خورشیدی لایه نازک مورد بررسی قرار گرفت.برای لایه نشانی CLG دو هدف Cu-Ga و In مورد استفاده قرار گرفت.در آزمایش اول به منظور تعویض هدف ها درب محفظه 2 ساعت پس از اتمام لایه نشانی هر ماده باز می شد که در این شرایط دمای زیر لایه هنوز 60c بود. اما در آزمایش دوم درب محفظه 12 ساعت پس از اتمام لایه نشانی باز شد که دمای زیر لایه به دمای اتاق رسیده بود و فاصله زیر لایه تا هدف، از4 سانتیمتر به 8 سانتیمتر تغییر یافت.شکل ظاهری نمونه ها و پراش پرتو ایکس XRD نشان دادند که در آزمایش دوم به ساختار مورد نظر دست یافته ایم.کلیدواژه ها
سلول خورشیدی، لایه نشانی، CLGS ، سلنیوم دار کردنمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.