مهاجرت یون در سلولهای خورشیدی پروسکایتی با در نظر گرفتن تغییرات نرخ اسکن بر شاخص پسماند
- سال انتشار: 1400
- محل انتشار: دهمین کنفرانس ملی خلا ایران
- کد COI اختصاصی: NCV10_022
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 410
نویسندگان
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی قم، قم
دانشکده مکانیک، دانشگاه صنعتی قم، قم
مرکز تحقیقات و کاربرد انرژی خورشیدی، دانشگاه فنی خاورمیانه، آنکارا، ترکیه
چکیده
مهاجرت یونی به عنوان علت احتمالی پسماند جریان- ولتاژ فتوولتاییک در سلولهای خورشیدی پروسکایتی پیشنهاد شده است. در این جا، شبیه سازی دو ساختارقطعه کاتد پایین و کاتد بالا با نرخ اسکن متفاوت با استفاده از یک مدل رانش- انتشار وابسته به زمان یک بعدی انجام شده است. نتایج نشان میدهد که برای مشاهدهپسماند هم مهاجرت یون و هم بازترکیب در اتصالات مورد نیاز است که بیان میکند با تغییر نرخ اسکن از مقدار ۰/۱Vs-۱ به ۰/۰۱Vs-۱، حرکت یون به درستی اتفاقنمی افتد و به دلیل تغییر ولتاژ نسبت به زمان، پدیده گذرای مهاجرت یونی صورت نمی گیرد و در نتیجه شاخص پسماند کاهش می یابد.کلیدواژه ها
مقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.