CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC نمونه های TeO2-V2O5-SnO براساس مدل جهش پلارون کوچک SPH

عنوان مقاله: وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC نمونه های TeO2-V2O5-SnO براساس مدل جهش پلارون کوچک SPH
شناسه ملی مقاله: CBGCONF06_098
منتشر شده در ششمین کنگره ملی تحقیقات راهبردی درشیمی و مهندسی شیمی با تاکید بر فناوری های بومی ایران در سال 1398
مشخصات نویسندگان مقاله:

الهام پاپی - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه صنعتی جندی شاپور دزفول، خوزستان، ایران
علیرضا حکیمی فرد - استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد دزفول، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، خوزستان، ایران
زهرا اسمعیلی طحان - استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد دزفول، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، خوزستان، ایران

خلاصه مقاله:
نمونه های تودهای آمورف با فرمول 50TeO2 − (50 − ) 2 5 − SnO با 5 درصد مولی متفاوت 0 ⩽ ⩽ 20 درصد مولی میباشد با روش سرمایش سریع مذاب ساخته شدند. آنالیز XRD، چگالی با روش ارشمیدس و رسانش الکتریکی DC در این ترکیب ها در گستره ی دمایی 150-330 کلوین با روش چهار سیمه خطی اندازه گیری شد. نتایج تجربی حاصل از وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC شیشه ها با استفاده از مدل رسانش جهشی پلارون کوچک مات مورد بررسی و دقت قرار گرفت. بررسیها نشان میدهد که نتایج در دماهای بالا با مدل رسانش جهشی پلارون کوچک مات و در دماهای پایین با مدلهای رسانش جهشی گستره مات و گریوز همخوانی دارد. همچنین نتایج نشان می دهد افزایش چگالی نمونه های مورد بررسی آمورفی موجب کاهش حجم مولی می شود و با کاهش درصد مولی وانادیم (افزایش درصد مولی اکسید قلع)، افزایش دما روی رسانش الکتریکی نمونه ها کاهش قابل توجهی خواهد یافت و همچنین مقادیر بدست آمده توسط مدل جهشی پلارون کوچک مات برای دو نمونه 10 و 20 با هم سازگاری خوبی دارند.

کلمات کلیدی:
نمونه های تودهای آمورف، روش سرمایش سریع مذاب،رسانش الکتریکیDC 5، رسانش جهشی پلارون کوچک.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/990094/