وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC نمونه های TeO2-V2O5-SnO براساس مدل جهش پلارون کوچک SPH

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 362

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CBGCONF06_098

تاریخ نمایه سازی: 28 بهمن 1398

چکیده مقاله:

نمونه های تودهای آمورف با فرمول 50TeO2 − (50 − ) 2 5 − SnO با 5 درصد مولی متفاوت 0 ⩽ ⩽ 20 درصد مولی میباشد با روش سرمایش سریع مذاب ساخته شدند. آنالیز XRD، چگالی با روش ارشمیدس و رسانش الکتریکی DC در این ترکیب ها در گستره ی دمایی 150-330 کلوین با روش چهار سیمه خطی اندازه گیری شد. نتایج تجربی حاصل از وابستگی دمایی رسانش الکتریکی DC شیشه ها با استفاده از مدل رسانش جهشی پلارون کوچک مات مورد بررسی و دقت قرار گرفت. بررسیها نشان میدهد که نتایج در دماهای بالا با مدل رسانش جهشی پلارون کوچک مات و در دماهای پایین با مدلهای رسانش جهشی گستره مات و گریوز همخوانی دارد. همچنین نتایج نشان می دهد افزایش چگالی نمونه های مورد بررسی آمورفی موجب کاهش حجم مولی می شود و با کاهش درصد مولی وانادیم (افزایش درصد مولی اکسید قلع)، افزایش دما روی رسانش الکتریکی نمونه ها کاهش قابل توجهی خواهد یافت و همچنین مقادیر بدست آمده توسط مدل جهشی پلارون کوچک مات برای دو نمونه 10 و 20 با هم سازگاری خوبی دارند.

کلیدواژه ها:

نمونه های تودهای آمورف ، روش سرمایش سریع مذاب ، رسانش الکتریکیDC 5 ، رسانش جهشی پلارون کوچک.

نویسندگان

الهام پاپی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه صنعتی جندی شاپور دزفول، خوزستان، ایران

علیرضا حکیمی فرد

استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد دزفول، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، خوزستان، ایران

زهرا اسمعیلی طحان

استادیار گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، واحد دزفول، دانشگاه صنعتی جندی شاپور، خوزستان، ایران