ایجاد تخلخل نانومتری روی سطح ویفر سیلیکون با استفاده از تپ های لیزر فمتوثانیه

  • سال انتشار: 1398
  • محل انتشار: هفتمین همایش ملی فناوری نانو از تئوری تا کاربرد
  • کد COI اختصاصی: NCNTA07_044
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 782
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

رضا گودرزی

پژوهشگر، پژوهشکده فوتونیک و فناوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی،تهران

افتخار بستان دوست

پژوهشگر، پژوهشکده فوتونیک و فناوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، تهران

فرشته حاج اسماعیل بیگی

استاد تمام، پژوهشکده فوتونیک و فناوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، تهران

حسین رزاقی

پژوهشگر، پژوهشکده فوتونیک و فناوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، سازمان انرژی اتمی، تهران

چکیده

در این مقاله سطح ویفر سیلیکون با استفاده از تپ های فوق کوتاه لیزر فمتوثانیه با طول موج 790 نانومتر و پهنای زمانی 50 فمتوثانیه تابش دهی شده است. در ابتدا شار انرژی آستانه برای ایجاد تغییرات سطحی در حدود (0.26J/cm(2 اندازه گیری شد. در اثر اندرکنش تپ های لیزر فمتوثانیه متمرکز شده روی سطح ویفر سیلیکون، خلل و فرج هایی به صورت خودبه خودی روی سطح ایجاد شدند. با انتخاب زاویه تابش 90 درجه و شار انرژی اندکی بالاتر از شار آستانه قله ها و حفره هایی با ابعاد نانومتر ایجاد شدند. تآثیر تعداد و انرژی تپ ها روی ابعاد قله های تشکیل شده بررسی شد و نشان داده شد که با افزایش تعداد تپ، تعداد قله ها افزایش یافته و با افزایش انرژی تپ ها، ابعاد قله ها افزایش می یابد. نشان داده شد که با استفقاده از 10 تپ با شار انرژی (0.26J/cm(2 می توان قله های کوچک نانومتری روی قله های اولیه ایجاد نمود.

کلیدواژه ها

تخلخل نانومتری، سیلیکون، لیزر، فمتوثانیه

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.