Silicon Nanowire Fabrication Using Hydrogenation Assisted Plasma Etching Technique

  • سال انتشار: 1386
  • محل انتشار: دومین کنفرانس نانوساختارها
  • کد COI اختصاصی: CNS02_192
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1401
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

A Sammak

ECE Department, University of Tehran

S Azimi

S Mohajerzadeh

H Hosseinzadegan

چکیده

A novel method for the fabrication of silicon nanostructures on silicon substrates is reported. This technique relies on a hydrogenation-assisted high aspect ratio plasma etching of Silicon substrates capable of producing nanowires with the height of more than 15 micrometers and width of between 100nm and 600nm

کلیدواژه ها

Silicon Nanowire; Plasma Etching; Vertical Transistor;

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.