اثر نقص های استون-ولز و تهی جای بر رسانش نانو لوله های کربنی

  • سال انتشار: 1388
  • محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
  • کد COI اختصاصی: IPC88_118
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1644
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

روح اله فرقدان

گروه فیزیک ، دانشگاه تربیت مدرس

علیرضا صفارزاده

گروه فیزیک ، دانشگاه پیام نور تهران ، پژوهشکده علوم نانو ، پژوهشگاه د

اسماعیل ساعی ورایرانی زاد

گروه فیزیک ، دانشگاه تربیت مدرس

چکیده

در این مقاله به بررسی اثرات نقص های استون-ولز و تهی جای روی رسانش الکتریکی نانو لوله های تک دیواره کربنی پرداخته ایم. رسانش نانو لوله ها در فرمول بندی ترابرد همدوس با هامیلتونی بستگی قوی تک نواری و توابع گرین سطحی و محاسبه ماتریس های انتقال بروش تکرار صورت پذیرفته است. برای درنظر گرفتن اثرات مغناطیسی مربوط به نواقص تهی جای هامیلتونی کانال به کمک مدل میدان موثر هابارد به روش حل خود-سازگار محاسبه شده است. اثرات پراکندگی الکترون توسط این نواقص در کانال به دلیل تداخل امواج الکترونی عموماً سبب کاهش جریان های عبوری از کانال می شود و اثرات مغناطیسی در کانال نیز سبب جدایی کوچکی بین جریان های اسپینی می شود که این قطبیدگی با مغناطش ایجاد شده در کانال متناسب است.

کلیدواژه ها

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.