2-D simulation Study of a SOI-MESFET with Two Steps in the Channel to Improve Breakdown Voltage

سال انتشار: 1397
محل انتشار: مجله پیشرفت تحقیقات محاسباتی در علوم و مهندسی کاربردی، دوره: 4، شماره: 1
کد COI اختصاصی: JR_CRPASE-4-1_001
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 462

نویسندگان

Electrical Engineering Department, Energy Faculty, Kermanshah University of Technology, Kermanshah, Iran

چکیده

The presented structure improves the breakdown voltage in silicon on insulator metal semiconductor field effect transistors (SOI-MESFETs). Two steps have been symmetrically used in the bottom of the channel. To simulate the device behavior, SILVACO software is employed together with Newton-Raphson method in order to numerically solve the equations. These two additional steps increase the breakdown voltage of the proposed devicein comparison with its conventional counterpart. This increase is due to the redistribution of the potenial lines inside the device and modification in electric field in the presence of two additional steps. So, the proposed structure is a proper device for high voltage applications

کلیدواژه ها

Simulation, Breakdown, Transistor, Current, Voltage

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.