بررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو

سال انتشار: 1396
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی کامپیوتر، برق، مکانیک و مکاترونیک
کد COI اختصاصی: IRCEM02_234
زبان مقاله: فارسی
تعداد مشاهده: 1019

نویسندگان

گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گرمسار، گرمسار، ایران

چکیده

در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد، اشاره می شود. سپس به تکنولوژی سیلیکون روی عایق پرداخته می شود و مزایای استفاده از این تکنولوژی بیان می گردد و ترانزیستورهای مبتنی بر آن معرفی و بررسی و مقایسه می گردد. در ادامه منحنی مشخصات ترانزیستور مبتنی بر این تکنولوژی استخراج می گردد و ولتاژ آستانه و پارامترهای موثر در ولتاژ آستانه، شیب زیر آستانه و اثر Kink و گرم شدن شبکه لتیس مربوط به ترانزیستورهای مبتنی تکنولوژی سیلیکون روی عایق مورد مطالعه قرار می گیرد و تاثیر آن ها روی منحنی مشخصات بررسی می شود. پروسه شبیه سازی با استفاده از نرم افزار سیلواکو انجام می شود. در انتها نتیجه گیری بررسی و شبیه سازی ها ارایه می گردد.

کلیدواژه ها

سیلیکون روی عایق، SOI MOSFET، اثر Kink، شبیه سازی، سیلواکو

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.