تحلیل ساختاری تزانزیستور های اثر میدانی براساس نانو لوله های کربنی (CNTFET)

  • سال انتشار: 1396
  • محل انتشار: اولین همایش بین المللی مهندسی برق،علوم کامپیوتر و فناوری اطلاعات
  • کد COI اختصاصی: ECICONFE01_100
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 768
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

مهدی رحیمی

دانشجوی کارشناسی مهندسی برق موسسه آموزش عالی چهلستون

چکیده

با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه ھایی با ابعاد کوچک تر، استفاده از فناوری ھای جدید در ساخت ترانزیستورھا به عنوان جزء اصلی تراشه ھا ضروری به نظر می رسد. نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی روشی نوین برای ساخت ترانزیستورھا در ابعاد کوچک است. در این مقاله ابتدا ساختار الکترونی، خصوصیات مکانیکی و الکتریکی و ھمچنین روش ھای ساخت نانو لوله ھای کربن بررسی می شود. سپس ترانزیستورھای اثر میدان نانو لوله کربن به لحاظ ساختار ھندسی روش ھای ساخت و پیاده سازی و ھمچنین نحوه عملکرد مورد بحث قرار می گیرند. در ادامه ویژگی ھای آن ھا با خصوصیات ترانزیستورھای اثر میدان سیلیکونی کنونی مقایسه می شود.

کلیدواژه ها

نانو لوله کربن، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربن، گرافن، انتقال بالیستیک، خصلت کایرالی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.