Analysis and Simulation of short-channel effects in metal- semiconductor field effect transistor

سال انتشار: 1396
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی فناوری اطلاعات، کامپیوتر و مخابرات
کد COI اختصاصی: ITCT04_157
زبان مقاله: انگلیسی
تعداد مشاهده: 553

نویسندگان

چکیده

A better multi-recessed4H–SiC metal semiconductor field effect transistor (MRD-MESFET) with double-recessed p-buffer layer (DRB-MESFET) is proposed in this paper. By introducing double-recessed p-buffer layer, the gate depletion layer is further modulated and higher drain saturation current and DC Trans conductance are obtained compared with the MRD-MESFET. The simulations show that the drain saturation current of the DRB-MESFET is about42.4% larger than that of the MRD –MESFET. The DC trans conductance of the DRB-MESFET is almost 15% higher than that of the MRD-MESFET and very close to that of double-recessed structure (DR-MESFET) at the bias conditions of Vgs =0 V and Vds =40 V .The proposed structure has an improvement of 26.1% and 74.2% in the output maximum power density compared with that of the MRD-MESFET and DR-MESFET, respectively In the meanwhile, the proposed structure possesses smaller gate-source capacitance, which results in better RF characteristics.

کلیدواژه ها

4H–SiC MESFET Multi-recessed drift regions (MRD), Double-recessed p-buffer layer (DRB), Drain saturation current

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.