شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید
- سال انتشار: 1395
- محل انتشار: کنفرانس ملی نانو ساختارها،علوم و مهندسی نانو
- کد COI اختصاصی: NCNNN01_125
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 534
نویسندگان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی گروه برق
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی گروه برق
چکیده
در این مقاله ترانزیستور حساس به یون برومید شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی حساسیت ترانزیستور مورد نظر به پارامترهایی مانند ضخامت و جنس اکسید گیت و طول گیت برای رسیدن به بالاترین حساسیت را ارایه می کند. براساس نتایج شبیه سازی با افزایش غلظت برومید، ولتاژ آستانه ISFET بطور خطی افزایش می یابد علاوه براین با افزایش مولار برومید، ولتاژ آستانه با افزایش ضخامت اکسید و افزایش طول کانال، افزایش می یابد. همینطور بیشترین نرخ افزایش ولتاژ آستانه ISFET با افزایش مولار برومید، به ترتیب برای جنس های اکسید گیت Si3N4، ، Al2O3 و Ta2O5 بدست آمده اند.کلیدواژه ها
ترانزیستور اثر میدان، یون برومید، حساسیت، ولتاژ آستانهمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.