بررسی اثرات هندسه بر روی ولتاژ پولینگ در سوییچ های RF MEMS به منظور کاهش ولتاژ تحریک
- سال انتشار: 1395
- محل انتشار: سومین کنفرانس سراسری نوآوری های اخیر در مهندسی برق و کامپیوتر
- کد COI اختصاصی: COMCONF03_038
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 542
نویسندگان
دانش - آموخته کارشناسی ارشد - دانشکده برق و الکترونیک - دانشگاه آزاد واحد علوم و تحقیقات تبریز ایران
چکیده
یکی از مهمترین کاربردها در بحث MEMS ، سوییچ های RF MEMS می باشد و مهمترین عامل در این سوییچ ها نوع و مقدار تحریک است که در این مقاله مرا از تحریک الکترواستاتیکی برای راه اندازی مورد استفاده قرار دادیم و تاثیر تغییرات هندسه و شکل حفره ها روی ولتاژ پولینگ را به صورت کامل بررسی و در نرم افزار ANSYS مورد آنالیز و تحلیل قرار داده شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که بیشترین تاثیر برای کاهش ولتاژ پولینگ، ابعاد صفحه و کمترین تغییرات به ازای تغییر شکل حفره ها حاصل می گردد.کلیدواژه ها
ولتاژ تحریک، سوییچ RF MEMS ، هندسه صفحه سوییچ ، MEMS ، ANSYSمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.