بررسی اثرات هندسه بر روی ولتاژ پولینگ در سوییچ های RF MEMS به منظور کاهش ولتاژ تحریک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 433
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF03_038
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
یکی از مهمترین کاربردها در بحث MEMS ، سوییچ های RF MEMS می باشد و مهمترین عامل در این سوییچ ها نوع و مقدار تحریک است که در این مقاله مرا از تحریک الکترواستاتیکی برای راه اندازی مورد استفاده قرار دادیم و تاثیر تغییرات هندسه و شکل حفره ها روی ولتاژ پولینگ را به صورت کامل بررسی و در نرم افزار ANSYS مورد آنالیز و تحلیل قرار داده شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که بیشترین تاثیر برای کاهش ولتاژ پولینگ، ابعاد صفحه و کمترین تغییرات به ازای تغییر شکل حفره ها حاصل می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مسعود گلی فسقندیس
دانش - آموخته کارشناسی ارشد - دانشکده برق و الکترونیک - دانشگاه آزاد واحد علوم و تحقیقات تبریز ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :