تعیین چگالی سطحی بارهای میانگاه اتصال Ti/Si رونشانده به روش پاشش پلاسمایی

  • سال انتشار: 1386
  • محل انتشار: سومین کنفرانس ملی خلاء
  • کد COI اختصاصی: NCV03_038
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1177
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

محمد علی صادق زاده

گروه فیزیک، دانشگاه یزد

لیلا غریب شاهی

الهام ابوالحسنی

چکیده

در این مقاله با پاشش پلاسمایی Ti بر روی سطح تمیز Si ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز - نیمه رسانای Ti/Si به عنوان دریچه ایجاد گردید. در لایه آلیاژی این ساختار یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) با چگالی سطحی ns وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دریچه Vg میتوان چگالی آن را تغییر داد. با برازش نظری نتایج تجربی ns-Vg به محاسبه چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si پرداختیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه Si پوششی از 180 به 480 نانومتر چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Siبه ترتیب از 4/6 ضربدر 10 به توان15 cm-2 به 1/95 ضربدر 10 به توان 15 کاهش می یابد.

کلیدواژه ها

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.