مریم شایع سبزوار - دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد
سیدابراهیم حسینی - استادیار،دانشگاه فردوسی مشهد،دانشکده فنی مهندسی،گروه برق الکترونیک

با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان مصرفی پایین دراندازه های کوچکتر افزایش یافته است .قطعات نیمه هادی برپایه GaN HEMT از این نوع می باشد .در این مقاله عملکرد نمونه ای از این ترانزیستورها را با تغییر تدریجی دوپینگ سد پتانسیل از نظر مشخصه های خروجی قطعه بررسی میگردد .تغییر دوپینگ به صورت افزایشی وکاهشی بوده که با حالت دوپینگ یکنواخت مقایسه میگردد .شبیه سازی قطعه با نرم افزار Silvaco می باشد.با توجه به نتایج بدست آمده از خروجی قطعه در سه حالت افزایشی،کاهشیویکنواخت مشخصه های قطعه در حالت کاهشی بهبود یافته است.

GaN HEMT ، موبیلیتی، قطبش پیزوالکتریک، سد پتانسیل ،دوپینگ لایه سد ،گاز الکترون دوبعدی