تحلیل و بررسی چند روش بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول
- سال انتشار: 1395
- محل انتشار: سومین کنفرانس ملی توسعه علوم مهندسی
- کد COI اختصاصی: AIHE10_131
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 905
نویسندگان
دانشجوی کارشناسی ارشد موسسه آموزش عالی روزبهان،
استادیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه مازندران
چکیده
حافظه های استاتیکی مهترین قسمت های مدارات دیجیتال هستند و با پیشرفت روز افزون مدارات دیجیتال، یکی از بحثهای تحقیقاتی روز ارائه ی طرح های بهینه از حافظه های استاتیکی است. از حافظه های استاتیکی به منظور ایجاد حافظه های نهان استفاده می شود و با توجه به نیاز حافظه هاینهان به زمان دسترسی فوق العاده پایین، بنابراین طراحی SRAM هایی با سرعت زیاد بسیار اهمیت پیدا می کند. همچنین به علت درخواست های بالایدستگاه های قابل حمل، مصرف توان یکی دیگر از محرک های پشت ارائه طرح های بهینه از سلول های متداول SRAM است. همچنین به طرح هایی نیازداریم که قابلیت اطمینان را در عملیات نوشتن، خواندن و نگهداری داده ها را افزایش دهد. در طراحی SRAM جنبه های زیادی وجود دارد، این موارد بخشی از نیازهای هستند که باید در طراحی های جدید در نظر گرفته شوند. این مقاله با تکیه بر این نیازها به تحلیل و بررسی چند روش جدید بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول می پردازد.کلیدواژه ها
حافظه های استاتیکی، 6T-SRAM ، کاهش توان مصرفی، جریان نشتی، بایاس بدنهاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.