مدل ولتاژ آستانه ی ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی

  • سال انتشار: 1395
  • محل انتشار: اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر
  • کد COI اختصاصی: CBCONF01_0341
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 737
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

زهرا سپهری

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد

آرش دقیقی

دانشیار دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد

چکیده

در این مقاله ولتاژ آستانه ی یک ساختار UTB SOD کانال کوتاه با یک لایه عایق اضافی مدل شده است. لایه ی عایق اضافیبر روی لایه ی عایق الماس قرار گرفته و بطور جزئی آن را می پوشاند، این لایه عایق گذردهی الکتریکی کمتری نسبت بهالماس دارد و می تواند SiO2 باشد. حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت بدنه ی سیلیکونی به ترتیب برای تعیین ولتاژآستانه ی کانال جلو و کانال پشت بکار می رود، و مقدار کوچکتر بین ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت بعنوان ولتاژآستانه ی قطعه شناخته میشود، در واقع در این ساختار ولتاژ آستانه برابر با ولتاژ گیت جلو/پشت است در صورتی کهحداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت برابر با (Ψ(b می شود، که (Ψ(b اختلاف بین تراز فرمی غیرذاتی در ناحیه ی کانال وتراز فرمی ذاتی است، ولتاژ آستانه در این ساختار تقریبا مشابه با ولتاژ آستانه در Re S/D SOI است.

کلیدواژه ها

سیلیکون روی عایق، Novel SOD ، ولتاژ آستانه، معادلات پواسون دوبعدی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.