بررسی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی روی سلول حافظه SRAM مبتنی بر FinFET

  • سال انتشار: 1394
  • محل انتشار: هجدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ISCEE18_115
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 844
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

سمیرا سالاریان

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه آزاد واحد بجنورد

مسعود هوشمند کفاشیان

عضو هیات علمی دانشکده فنی، دانشگاه پیام نور مشهد

چکیده

ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI) یکی از دغدغه های اصلی قابلیت اطمینان برای افزاره های امروزی و آینده است که باعث تخریب عملکرد در طول زمان می شود. در این مقاله به بررسی اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزیستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روی Hold SNM و Read SNM بررسی شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تکنولوژی 14nm در دمای 125 درجه سانتی گراد و منبع تغذیه 0.8 ولت برای فاصله زمان های مختلف انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پدیده ی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی مقادیر SNM نگهداری و SNM خواندن را تحت تأثیر خود قرار می دهد و براساس اندازه گیری های انجام شده در این پژوهش، در بدترین شرایط میزان SNM نگهداری و SNM خواندن در نتیجه NBTI در فاصله زمانی (T=10(6 ثانیه ، به ترتیب15.32 % و34.93 % تنزل پیدا کرده و سلول ناپایدار شده است.

کلیدواژه ها

پایداری سلول (SNM)، ترانزیستور FinFET، حافظه SRAM، قابلیت اطمینان، ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI)

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.