بررسی تاثیر میدان مغناطیسی و فشار بر عملکرد غشاء پلی اتر سولفون/پلی اتیلنامین

  • سال انتشار: 1394
  • محل انتشار: چهارمین همایش ملی فن آوری های نوین شیمی و مهندسی شیمی
  • کد COI اختصاصی: NCTCC04_191
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 620
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

اسد حاتمی

دانشجوی ارشد مهندسی شیمی، دانشگاه آزاد، واحد شاهرود

سوسن خسرویار

استادیار مهندسی شیمی، دانشگاه آزاد، واحد قوچان

چکیده

غشاء مرکب پلی اتر سولفون/ پلی اتیلن امین به روش ریخته گری تهیه و بهینه سازی شد. اضافه شدن پلی اتیلن امین که یک پلیمر آبدوست است به ساختار غشاء پلی اتر سولفون باعث کاهش زاویه تماس و مقاومت کششی و افزایش قطر حفرات غشاء شد. اثرات میدان مغناطیسی در دو سطح 5000 و 10000گوس، دما در دو سطح 20 و 40 درجه سانتی گراد و فشار در دو سطح 5 و 10 بار بر عملکرد غشاء در حذف COD ، مورد بررسی قرار گرفت. داده ها به صورت کاملا تصادفی در سه تکرار با استفاده از نرم افزار آماری Design Expert نسخه 6.0.2 آنالیز شدند. نتایج نشان داد که افزایش قدرت میدان مغناطیسی و دما باعث افزایش حذفCOD کاهش غلظت تراوه افزایش فشار باعث کاهش حذفCOD افزایش غلظت تراوه گردید

کلیدواژه ها

غشاء، پلی اتر سولفون، پلی اتیلن امین، میدان مغناطیسی، حذف COD

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.