محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک

  • سال انتشار: 1394
  • محل انتشار: کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر
  • کد COI اختصاصی: NCAEC01_017
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1181
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

حسن مسلمی

مجتمع آموزش عالی فنی و مهندسی اسفراین

ایمان عباسپور

دانشگاه سلمان فارسی کازرون

مهرداد عمیدی

دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون

چکیده

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در کار پژوهشی حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد و سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد و در نهایت به کمک نتایج حاصل از این محاسبات چگالی جریان تونل زنی گیت شبیه سازی شد. عملکرد لایه ی وارونگی به شکل یک چاه پتانسیل متقارن ساده سازی شده است. تابع موج به دست آمده از مدل پیشنهادی در واسط، مقداری غیر صفر است که از سازگاری بیشتری با نتایج تجربی جدید ارایه شده در مقالات معتبر برخوردار است. نتایج شبیه سازی های مدل پیشنهادی با مدل های معتبر دیگر مقایسه شد و انطباق بالای آن را نشان داد.

کلیدواژه ها

تابع موج، ضخامت اکسید، چاه پتانسیل، چگالی جریان تونل زنی

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.