اثر مدهای نقص برای قطبش TE در کریستال های فوتونیک یک بعدی
- سال انتشار: 1394
- محل انتشار: کنفرانس ملی فناوریهای نوین نور، فتونیک و سیستمهای فتوولتاییک
- کد COI اختصاصی: LPPS01_043
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 884
نویسندگان
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه گلستان، گرگان، ایران
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان واحد علی آباد کتول دانشگاه آزاد اسلامی علی آباد کتول ایران
چکیده
در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای یک بعدی نامتقارن با نقص در نظر گرفته شده و با محاسبه ضریب عبور با تغییر طول موج، تغییرات مد نقص بررسی شده است. مشاهده می شود که درون نوار گاف بلور فوتونی یک مد نقص وجود دارد. در قطبش TE با افزایش زاویه فرودی، مد نقص به سمت طول موج های کوتاه تر جابه جا می شود ارتفاع مد نقص تغییر زیادی نمی کند و همچنین با افزایش زاویه فرودی دو مد نقص در نوار گاف مشاهده می شود. همچنین مشاهده شد که با افزایش تعداد سلول های واحد، مکان مد نقص تغییری نمی کند و تنها تاثیر افزایش تعداد سلول های واحد به صورت باریک شدن شکل قله و افزایش تیزی لبه های نوار می باشد. به علاوه با افزایش ضریب شکست و ضخامت لایه ی نقص مدهای نقص به سمت طول موج های بزرگتر حرکت می کنند.کلیدواژه ها
مدهای نقص – قطبشTE– کریستال های فوتونیکمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.