A Review: The Silica Interlayer Engineering of High-k Metal Gate Stack Process

  • سال انتشار: 1394
  • محل انتشار: همایش یافته های نوین در هوافضا و علوم وابسته
  • کد COI اختصاصی: MAARS01_445
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 656
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Saeed Mohsenifar

Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran

M.H. Shahrokhabadi

Eletrical and computer engineering faculty, Hakim Sabzevary University, Sabzevar, Iran

چکیده

An extensive discussion on the High-k Metal Gate (HKMG) Stack interlayer based-SiO2 for CMOS applications has been reviewed in this paper. The implementation of high-k oxides is a developing strategy to allow more miniaturization of microelectronic components. However, many issues remain to be resolved in the terms of implementation and process integration. One of this challenges is silica (SiO2) interlayer between silicon substrate and high-k oxides that prevent from continue scaling to lower equivalent oxide thicknesses (EOTs). Some techniques to trade these challenges off are investigated andpresented in this work.

کلیدواژه ها

HKMG, high-k oxides, silica interlayer, EOTs,

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.