فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
- سال انتشار: 1394
- محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
- کد COI اختصاصی: COMCONF01_833
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1157
نویسندگان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
دانشگاه شهرکرد
چکیده
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای)پارازیتی(کاهش می یابد.هنگامی که این لایه دوم باعث افزایش DIBL می شود اثر حرارت درونی یک رسانایی گرماییکمی را در لایه اکسید سیلیکون به وجود می آورد.ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه ] 1[ هیچ کدام از معایب افزایش اثرات خودگرمایی و افزایش اثرات کانال کوتاه را ندارد.در واقع این ساختار پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاهترانزیستور سیلیکون روی الماس را کاهش دهد.در این ترانزیستور با توجه به عرض ناحیه عایق رویئن ، ولتاژ آستانه تغییرمی کند.چگونگی این تغییرات نیازمند ارائه یک روش تحلیلی می باشد که به طور دقیق وابستگی ولتاژ آستانه به عرض عایق رویئن را نشان می دهد.در این مقاله ما به بررسی این موضوع می پردازیم.کلیدواژه ها
سیلیون روی الماس، ماسفت ، عایق سیلیکونی ، تاثیرات کانال کوتاه ، ولتاژ آستانهمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.