بررسی و شبیه سازی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار و خازن حافظه دار و کاربرد آنها در یک مدار تولید آشوب

  • سال انتشار: 1394
  • محل انتشار: کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر
  • کد COI اختصاصی: COMCONF01_197
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1929
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

قربد ستوده

اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران

علی خاکی صدیق

تهران دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ایران

محسن نجفی

اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران

مسعود دوستی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ایران

چکیده

ممریستور یا مقاومت حافظه دار که به عنوان چهارمین عنصر پایه بعد از مقاومت، خازن و سلف معرفی شده است، یک قطعه دو پایه است که در ابعاد مقیاس نانو ساخته شده است .عناصر دیگری از خانواده عناصر حافظه دار نظیر خازن های حافظه دار و سلف های حافظه دار شناسایی و پیاده سازی شده اند .این المان ها که به قطعات ممریستیو معروف هستند در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد .در این مقاله برای اولین بار مدل فیزیکی المان های ممریستیو نظیر ممریستور و خازن حافظه دار در نرم افزار ADS(Advanced Design . System) بررسی شده و در نهایت کاربرد آن ها، در یک نمونه مدار الکترونیکی بررسی و شبیه سازی شده است

کلیدواژه ها

ممریستور ، نانو ، سلف حافظه دار ، ADS

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.