مریم قلی زاده - دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد
محمد علی صادق زاده - دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد

در این مقاله به بررسی پدیده تجمع سطحی و واماندگی آلایش بورن در رشد سیلیکان بروش رونشانی پرتو ملکولی می پردازیم. تجربه نشان می دهد که در حین رشد آلاینده های B، دانسیته ای به اندازه 10 به توان 12 اتم بر سانتیمتر مربع از اتمهای بورن در سطح رشد تجمع یافته که باعث آلایش لایه Si بعد از بستن شاتر B می شود. توقف عمل رشد بعد از آلایش می توانداتمهای وامانده را تاحدودی تثبیت کند.