ارزیابی پدیده واماندگی و تجمع سطحی آلاینده های B در رشد ساختار B-Si/SiGE/Si بروش رونشانی پرتو ملکولی

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 713

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BLUR01_018

تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی پدیده تجمع سطحی و واماندگی آلایش بورن در رشد سیلیکان بروش رونشانی پرتو ملکولی می پردازیم. تجربه نشان می دهد که در حین رشد آلاینده های B، دانسیته ای به اندازه 10 به توان 12 اتم بر سانتیمتر مربع از اتمهای بورن در سطح رشد تجمع یافته که باعث آلایش لایه Si بعد از بستن شاتر B می شود. توقف عمل رشد بعد از آلایش می توانداتمهای وامانده را تاحدودی تثبیت کند.

نویسندگان

مریم قلی زاده

دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد

محمد علی صادق زاده

دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ Si. SiGe, _ for high mubility _ ...
  • M. _ Sadeghzadeh. et al, _ _ _ epitxial growth ...
  • C. _ Parry, _ al.. "Teperature dependence of inccrporation _ ...
  • H. Jorke and H. Kibble. "Boron delta doping in Si ...
  • نمایش کامل مراجع